Científicos granadinos diseñan un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información digital en colaboración con el laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic. Dicho dispositivo se encuentra entre los dispositivos de almacenamiento de información más avanzados fabricados hasta la fecha en todo el mundo. La invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella.

Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la UGR Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento denominada A-RAM (Advanced Random Access Memory), cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009. Ahora, gracias al laboratorio CEA-LETI, que cuenta con una de las tecnologías nanoelectrónicas más avanzadas a nivel mundial, han podido fabricar un dispositivo que corrobora experimentalmente todos y cada uno de los resultados avanzados anteriormente mediante estudios teóricos.

Los resultados de esta validación experimental se han publicado en la prestigiosa revista norteamericana IEEE Electron Device Letters y se han presentado en la Conferencia Internacional Silicon on Insulator Technology, celebrada recientemente en San Francisco, EEUU.

Actualmente, siguiendo la estela de los nuevos dispositivos incorporados por Intel en sus últimos microprocesadores (Ivy Bridge), los científicos de la UGR están estudiando otras alternativas tridimensionales de memorias basadas en la celda A2RAM, como son la FinFET-ARAM y la Trigate-ARAM y que ya han sido objeto de una patente en Francia y de una presentación en el International Memory Workshop celebrado en Mayo de 2012 en Milán (Italia).

Solucionar los problemas

Los investigadores de la UGR han demostrado que la celda de memoria A-RAM y su variante A2RAM son capaces de solucionar los problemas de miniaturización de la celda DRAM (que es el tipo de memoria que incorporan la mayoría de los dispositivos digitales: ordenadores, smartphones, tablets, etc.) y, además, proporcionan tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía, y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.

Como señala Francisco Gámiz, «desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)». Estas celdas de memoria están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.

Este concepto de DRAM ha permanecido inalterado durante todo este tiempo, y hoy día es posible encontrar celdas DRAM con dimensiones menores de 20nm (1 nanómetro equivale a una mil millonésima parte de un metro) y chips de memoria DRAM con varios gigabytes (un giga equivale a mil millones de unidades). Sin embargo, el escalado de esta celda, y por tanto la posibilidad de hacerla más pequeña, está llegando a su fin, debido a la cantidad mínima de carga eléctrica necesaria para poder distinguir con claridad entre los dos posibles estados de un bit (1 y 0), lo que limita el tamaño mínimo del condensador. «Si no podemos hacer más pequeño el condensador, la solución pasa por eliminarlo, surgiendo así las celdas de memoria 1T-DRAM, o memorias de un solo transistor, en las que la información se almacena en el propio transistor, que sirve a la vez para almacenar la información y para detectar el estado de la celda, es decir, acceder a la información».

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Científicos granadinos diseñan un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información digital en colaboración con el laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic. Dicho dispositivo se encuentra entre los dispositivos de almacenamiento de información más avanzados fabricados hasta la fecha en todo el mundo. La invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella.

Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la UGR Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento denominada A-RAM (Advanced Random Access Memory), cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009. Ahora, gracias al laboratorio CEA-LETI, que cuenta con una de las tecnologías nanoelectrónicas más avanzadas a nivel mundial, han podido fabricar un dispositivo que corrobora experimentalmente todos y cada uno de los resultados avanzados anteriormente mediante estudios teóricos.

Los resultados de esta validación experimental se han publicado en la prestigiosa revista norteamericana IEEE Electron Device Letters y se han presentado en la Conferencia Internacional Silicon on Insulator Technology, celebrada recientemente en San Francisco, EEUU.

Actualmente, siguiendo la estela de los nuevos dispositivos incorporados por Intel en sus últimos microprocesadores (Ivy Bridge), los científicos de la UGR están estudiando otras alternativas tridimensionales de memorias basadas en la celda A2RAM, como son la FinFET-ARAM y la Trigate-ARAM y que ya han sido objeto de una patente en Francia y de una presentación en el International Memory Workshop celebrado en Mayo de 2012 en Milán (Italia).

Solucionar los problemas

Los investigadores de la UGR han demostrado que la celda de memoria A-RAM y su variante A2RAM son capaces de solucionar los problemas de miniaturización de la celda DRAM (que es el tipo de memoria que incorporan la mayoría de los dispositivos digitales: ordenadores, smartphones, tablets, etc.) y, además, proporcionan tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía, y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.

Como señala Francisco Gámiz, «desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)». Estas celdas de memoria están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.

Este concepto de DRAM ha permanecido inalterado durante todo este tiempo, y hoy día es posible encontrar celdas DRAM con dimensiones menores de 20nm (1 nanómetro equivale a una mil millonésima parte de un metro) y chips de memoria DRAM con varios gigabytes (un giga equivale a mil millones de unidades). Sin embargo, el escalado de esta celda, y por tanto la posibilidad de hacerla más pequeña, está llegando a su fin, debido a la cantidad mínima de carga eléctrica necesaria para poder distinguir con claridad entre los dos posibles estados de un bit (1 y 0), lo que limita el tamaño mínimo del condensador. «Si no podemos hacer más pequeño el condensador, la solución pasa por eliminarlo, surgiendo así las celdas de memoria 1T-DRAM, o memorias de un solo transistor, en las que la información se almacena en el propio transistor, que sirve a la vez para almacenar la información y para detectar el estado de la celda, es decir, acceder a la información».

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Diseñan un novedoso dispositivo de almacenamiento de información digital

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un dispositivo de almacenamiento de información digital que figura entre los más avanzados de los fabricados hasta la fecha.
El dispositivo, diseñado en colaboración con el laboratorio Cea-Leti de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic, ha sido protegido por 10 patentes internacionales, incluidos Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea o Micron en Estados Unidos, ya han mostrado su interés por ella, según ha informado hoy la Universidad de Granada.
Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la Universidad de Granada Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento, denominada A-RAM y cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009.
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Diseñan un novedoso dispositivo de almacenamiento de información digital

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un dispositivo de almacenamiento de información digital que figura entre los más avanzados de los fabricados hasta la fecha.
El dispositivo, diseñado en colaboración con el laboratorio Cea-Leti de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic, ha sido protegido por 10 patentes internacionales, incluidos Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea o Micron en Estados Unidos, ya han mostrado su interés por ella, según ha informado hoy la Universidad de Granada.
Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la Universidad de Granada Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento, denominada A-RAM y cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009.
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Antonio Carvajal, premio Nacional de Poesía

El granadino Antonio Carvajal ha obtenido el Premio Nacional de Poesía del 2012, concedido por el Ministerio de Educación y Cultura, por su poemario ‘Un girasol flotante’. Antonio Carvajal (Albolote, 1943) es doctor en Filología Románica y profesor titular de Métrica en la Universidad de Granada. Su obra está muy marcada por la influencia de la poesía española del siglo de oro (desde Quevedo a Góngora) aunque en los últimos años está más marcada por la lírica popular.

El escritor, publicado habitualmente por la editorial Hiperión, obtuvo en el año 1990 el Premio de la Crítica. Entre sus obras destacan ‘Tigres en el jardín’ (1968), ‘Serenata y navaja’ (1973), ‘Después que me miraste’ (1984), ‘Los pasos evocados’ (2004) y ‘Pequeña patria huida’ (2011).
El jurado de este galardón ha sido presidido María Teresa Lizaranzu y han formado parte de él Carmen Iglesias, Darío Xohán Cabana, Uxue Apaolaza, Juli Capdevila, José Servera, Antonio Hernández, Rosa Romojaro, José Manuel González Torga, María Monjas, Luis Alberto de Cuenca y Francisca Aguirre, galardonada el año pasado.

En las ediciones anteriores los premiados habían sido José Ángel Valente (2001), Carlos Marzal (2002), Julia Uceda (2003), Chantal Maillard (2004), José Corredor-Matheos (2005), José Manuel Caballero Bonald (2006), Olvido García Valdés (2007), Joan Margarit (2008), Juan Carlos Mestre (2009) y José María Millares (2010).

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Antonio Carvajal, premio Nacional de Poesía

El granadino Antonio Carvajal ha obtenido el Premio Nacional de Poesía del 2012, concedido por el Ministerio de Educación y Cultura, por su poemario ‘Un girasol flotante’. Antonio Carvajal (Albolote, 1943) es doctor en Filología Románica y profesor titular de Métrica en la Universidad de Granada. Su obra está muy marcada por la influencia de la poesía española del siglo de oro (desde Quevedo a Góngora) aunque en los últimos años está más marcada por la lírica popular.

El escritor, publicado habitualmente por la editorial Hiperión, obtuvo en el año 1990 el Premio de la Crítica. Entre sus obras destacan ‘Tigres en el jardín’ (1968), ‘Serenata y navaja’ (1973), ‘Después que me miraste’ (1984), ‘Los pasos evocados’ (2004) y ‘Pequeña patria huida’ (2011).
El jurado de este galardón ha sido presidido María Teresa Lizaranzu y han formado parte de él Carmen Iglesias, Darío Xohán Cabana, Uxue Apaolaza, Juli Capdevila, José Servera, Antonio Hernández, Rosa Romojaro, José Manuel González Torga, María Monjas, Luis Alberto de Cuenca y Francisca Aguirre, galardonada el año pasado.

En las ediciones anteriores los premiados habían sido José Ángel Valente (2001), Carlos Marzal (2002), Julia Uceda (2003), Chantal Maillard (2004), José Corredor-Matheos (2005), José Manuel Caballero Bonald (2006), Olvido García Valdés (2007), Joan Margarit (2008), Juan Carlos Mestre (2009) y José María Millares (2010).

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Velada Flamenca Dedicada A Florentino García Santos

El jueves, 8 de noviembre, a las 20,00 horas se celebrará en el Aula Magna de la Facultad de Ciencias una velada flamenca dedicada al que fue gerente de la Universidad de Granada, Florentino García Santos, miembro fundador del Grupo de Estudios Flamencos de esta Universidad.

El Grupo de Estudios Flamencos, desde su fundación, lleva realizando actuaciones periódicas en las diferentes facultades de la UGR. Llegado el turno de la Facultad de Ciencias, se decidió rendir este merecido homenaje al compañero y amigo Floro, según explican los organizadores.

El acto será conducido por Juan Pinilla y en el mismo actuarán cantaores, guitarristas y bailaores que han colaborado con el Grupo de Estudios Flamencos durante este tiempo.

Al cante:

Curro Andrés.

Arturo Fernández.

José Fernández.

Juan Pinilla.

Álvaro Rodríguez.

Iván Centenillo.

José Pasita.

Alicia Morales.

Tomás García.

Jesús de María.

Al baile:

Beatriz Remacho.

Guitarra:

Isidoro Pérez.

Rafael Hoces.

Francisco Manuel Díaz.

David Sinclair.

Juan Fernández.

Álvaro «El Martinete».

Ángel Alonso.

Presenta:

Juan Pinilla.

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Velada Flamenca Dedicada A Florentino García Santos

El jueves, 8 de noviembre, a las 20,00 horas se celebrará en el Aula Magna de la Facultad de Ciencias una velada flamenca dedicada al que fue gerente de la Universidad de Granada, Florentino García Santos, miembro fundador del Grupo de Estudios Flamencos de esta Universidad.

El Grupo de Estudios Flamencos, desde su fundación, lleva realizando actuaciones periódicas en las diferentes facultades de la UGR. Llegado el turno de la Facultad de Ciencias, se decidió rendir este merecido homenaje al compañero y amigo Floro, según explican los organizadores.

El acto será conducido por Juan Pinilla y en el mismo actuarán cantaores, guitarristas y bailaores que han colaborado con el Grupo de Estudios Flamencos durante este tiempo.

Al cante:

Curro Andrés.

Arturo Fernández.

José Fernández.

Juan Pinilla.

Álvaro Rodríguez.

Iván Centenillo.

José Pasita.

Alicia Morales.

Tomás García.

Jesús de María.

Al baile:

Beatriz Remacho.

Guitarra:

Isidoro Pérez.

Rafael Hoces.

Francisco Manuel Díaz.

David Sinclair.

Juan Fernández.

Álvaro «El Martinete».

Ángel Alonso.

Presenta:

Juan Pinilla.

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Científicos Españoles Diseñan Un Revolucionario Dispositivo De Almacenamiento De Información Digital

Esta invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella

En el proyecto participan investigadores de la Universidad de Granada y del laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia)

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información digital en colaboración con el laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic. Dicho dispositivo se encuentra entre los dispositivos de almacenamiento de información más avanzados fabricados hasta la fecha en todo el mundo. La invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella.

Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la UGR Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento denominada A-RAM (Advanced Random Access Memory), cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009. Ahora, gracias al laboratorio CEA-LETI, que cuenta con una de las tecnologías nanoelectrónicas más avanzadas a nivel mundial, han podido fabricar un dispositivo que corrobora experimentalmente todos y cada uno de los resultados avanzados anteriormente mediante estudios teóricos.

Los resultados de esta validación experimental se han publicado en la prestigiosa revista norteamericana IEEE Electron Device Letters y se han presentado en la Conferencia Internacional Silicon on Insulator Technology, celebrada recientemente en San Francisco, EEUU.

Actualmente, siguiendo la estela de los nuevos dispositivos incorporados por Intel en sus últimos microprocesadores (Ivy Bridge), los científicos de la UGR están estudiando otras alternativas tridimensionales de memorias basadas en la celda A2RAM, como son la FinFET-ARAM y la Trigate-ARAM y que ya han sido objeto de una patente en Francia y de una presentación en el International Memory Workshop celebrado en Mayo de 2012 en Milán (Italia).

Solucionar los problemas

Los investigadores de la UGR han demostrado que la celda de memoria A-RAM y su variante A2RAM son capaces de solucionar los problemas de miniaturización de la celda DRAM (que es el tipo de memoria que incorporan la mayoría de los dispositivos digitales: ordenadores, smartphones, tablets, etc.) y, además, proporcionan tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía, y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.

Como señala Francisco Gámiz, «desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)». Estas celdas de memoria están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.

Este concepto de DRAM ha permanecido inalterado durante todo este tiempo, y hoy día es posible encontrar celdas DRAM con dimensiones menores de 20nm (1 nanómetro equivale a una mil millonésima parte de un metro) y chips de memoria DRAM con varios gigabytes (un giga equivale a mil millones de unidades). Sin embargo, el escalado de esta celda, y por tanto la posibilidad de hacerla más pequeña, está llegando a su fin, debido a la cantidad mínima de carga eléctrica necesaria para poder distinguir con claridad entre los dos posibles estados de un bit (1 y 0), lo que limita el tamaño mínimo del condensador. «Si no podemos hacer más pequeño el condensador, la solución pasa por eliminarlo, surgiendo así las celdas de memoria 1T-DRAM, o memorias de un solo transistor, en las que la información se almacena en el propio transistor, que sirve a la vez para almacenar la información y para detectar el estado de la celda, es decir, acceder a la información».

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Científicos Españoles Diseñan Un Revolucionario Dispositivo De Almacenamiento De Información Digital

Esta invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella

En el proyecto participan investigadores de la Universidad de Granada y del laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia)

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información digital en colaboración con el laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic. Dicho dispositivo se encuentra entre los dispositivos de almacenamiento de información más avanzados fabricados hasta la fecha en todo el mundo. La invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella.

Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la UGR Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento denominada A-RAM (Advanced Random Access Memory), cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009. Ahora, gracias al laboratorio CEA-LETI, que cuenta con una de las tecnologías nanoelectrónicas más avanzadas a nivel mundial, han podido fabricar un dispositivo que corrobora experimentalmente todos y cada uno de los resultados avanzados anteriormente mediante estudios teóricos.

Los resultados de esta validación experimental se han publicado en la prestigiosa revista norteamericana IEEE Electron Device Letters y se han presentado en la Conferencia Internacional Silicon on Insulator Technology, celebrada recientemente en San Francisco, EEUU.

Actualmente, siguiendo la estela de los nuevos dispositivos incorporados por Intel en sus últimos microprocesadores (Ivy Bridge), los científicos de la UGR están estudiando otras alternativas tridimensionales de memorias basadas en la celda A2RAM, como son la FinFET-ARAM y la Trigate-ARAM y que ya han sido objeto de una patente en Francia y de una presentación en el International Memory Workshop celebrado en Mayo de 2012 en Milán (Italia).

Solucionar los problemas

Los investigadores de la UGR han demostrado que la celda de memoria A-RAM y su variante A2RAM son capaces de solucionar los problemas de miniaturización de la celda DRAM (que es el tipo de memoria que incorporan la mayoría de los dispositivos digitales: ordenadores, smartphones, tablets, etc.) y, además, proporcionan tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía, y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.

Como señala Francisco Gámiz, «desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)». Estas celdas de memoria están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.

Este concepto de DRAM ha permanecido inalterado durante todo este tiempo, y hoy día es posible encontrar celdas DRAM con dimensiones menores de 20nm (1 nanómetro equivale a una mil millonésima parte de un metro) y chips de memoria DRAM con varios gigabytes (un giga equivale a mil millones de unidades). Sin embargo, el escalado de esta celda, y por tanto la posibilidad de hacerla más pequeña, está llegando a su fin, debido a la cantidad mínima de carga eléctrica necesaria para poder distinguir con claridad entre los dos posibles estados de un bit (1 y 0), lo que limita el tamaño mínimo del condensador. «Si no podemos hacer más pequeño el condensador, la solución pasa por eliminarlo, surgiendo así las celdas de memoria 1T-DRAM, o memorias de un solo transistor, en las que la información se almacena en el propio transistor, que sirve a la vez para almacenar la información y para detectar el estado de la celda, es decir, acceder a la información».

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Talleres solidarios de Educación para la Sostenibilidad en Melilla

  • La preinscripción termina el 9 de noviembre de 2012 (la actividad cuenta con dos créditos de libre disposición en títulos de Grado)
  • La inscripción puede realizarse del 13 al 16 de noviembre, en el Vicedecanato de Estudiantes, Extensión Universitaria y Cooperación de la Facultad de Educación y Humanidades (Despacho 116, 1ª planta)

El plazo de preinscripción en los Talleres solidarios de Educación para la Sostenibilidad, organizados por el Campus de Melilla de la UGR, en colaboración con Guelaya, Ecologistas, de Melilla, termina el viernes, 9 de noviembre de 2012. Los alumnos han de hacer una aportación de 10 euros (el dinero recaudado se utilizará para la campaña solidaria de Navidad: alimentos y juguetes). Y la inscripción en esta actividad, con dos créditos de libre disposición en títulos de Grado, podrá realizarse del 13 al 16 de noviembre, en el Vicedecanato de Estudiantes, Extensión Universitaria y Cooperación de la Facultad de Educación y Humanidades (Despacho 116, 1ª planta).

Los objetivos son concienciar y sensibilizar al alumnado, apoyar el programa de actividades solidarias y medioambientales del Vicedecanato, así como las actividades solidarias de las ONGs locales.

Para más información y preinscripciones: Vicedecanato de Estudiantes, Extensión Universitaria y Cooperación. Campus de la UGR en Melilla. Correo electrónico: jmcabo@ugr.es


Talleres solidarios de Educación para la Sostenibilidad en Melilla

  • La preinscripción termina el 9 de noviembre de 2012 (la actividad cuenta con dos créditos de libre disposición en títulos de Grado)
  • La inscripción puede realizarse del 13 al 16 de noviembre, en el Vicedecanato de Estudiantes, Extensión Universitaria y Cooperación de la Facultad de Educación y Humanidades (Despacho 116, 1ª planta)

El plazo de preinscripción en los Talleres solidarios de Educación para la Sostenibilidad, organizados por el Campus de Melilla de la UGR, en colaboración con Guelaya, Ecologistas, de Melilla, termina el viernes, 9 de noviembre de 2012. Los alumnos han de hacer una aportación de 10 euros (el dinero recaudado se utilizará para la campaña solidaria de Navidad: alimentos y juguetes). Y la inscripción en esta actividad, con dos créditos de libre disposición en títulos de Grado, podrá realizarse del 13 al 16 de noviembre, en el Vicedecanato de Estudiantes, Extensión Universitaria y Cooperación de la Facultad de Educación y Humanidades (Despacho 116, 1ª planta).

Los objetivos son concienciar y sensibilizar al alumnado, apoyar el programa de actividades solidarias y medioambientales del Vicedecanato, así como las actividades solidarias de las ONGs locales.

Para más información y preinscripciones: Vicedecanato de Estudiantes, Extensión Universitaria y Cooperación. Campus de la UGR en Melilla. Correo electrónico: jmcabo@ugr.es