El jueves, 8 de noviembre, a las 20,00 horas se celebrará en el Aula Magna de la Facultad de Ciencias una velada flamenca dedicada al que fue gerente de la Universidad de Granada, Florentino García Santos, miembro fundador del Grupo de Estudios Flamencos de esta Universidad.

El Grupo de Estudios Flamencos, desde su fundación, lleva realizando actuaciones periódicas en las diferentes facultades de la UGR. Llegado el turno de la Facultad de Ciencias, se decidió rendir este merecido homenaje al compañero y amigo Floro, según explican los organizadores.

El acto será conducido por Juan Pinilla y en el mismo actuarán cantaores, guitarristas y bailaores que han colaborado con el Grupo de Estudios Flamencos durante este tiempo.

Al cante:

Curro Andrés.

Arturo Fernández.

José Fernández.

Juan Pinilla.

Álvaro Rodríguez.

Iván Centenillo.

José Pasita.

Alicia Morales.

Tomás García.

Jesús de María.

Al baile:

Beatriz Remacho.

Guitarra:

Isidoro Pérez.

Rafael Hoces.

Francisco Manuel Díaz.

David Sinclair.

Juan Fernández.

Álvaro «El Martinete».

Ángel Alonso.

Presenta:

Juan Pinilla.

Descargar

El jueves, 8 de noviembre, a las 20,00 horas se celebrará en el Aula Magna de la Facultad de Ciencias una velada flamenca dedicada al que fue gerente de la Universidad de Granada, Florentino García Santos, miembro fundador del Grupo de Estudios Flamencos de esta Universidad.

El Grupo de Estudios Flamencos, desde su fundación, lleva realizando actuaciones periódicas en las diferentes facultades de la UGR. Llegado el turno de la Facultad de Ciencias, se decidió rendir este merecido homenaje al compañero y amigo Floro, según explican los organizadores.

El acto será conducido por Juan Pinilla y en el mismo actuarán cantaores, guitarristas y bailaores que han colaborado con el Grupo de Estudios Flamencos durante este tiempo.

Al cante:

Curro Andrés.

Arturo Fernández.

José Fernández.

Juan Pinilla.

Álvaro Rodríguez.

Iván Centenillo.

José Pasita.

Alicia Morales.

Tomás García.

Jesús de María.

Al baile:

Beatriz Remacho.

Guitarra:

Isidoro Pérez.

Rafael Hoces.

Francisco Manuel Díaz.

David Sinclair.

Juan Fernández.

Álvaro «El Martinete».

Ángel Alonso.

Presenta:

Juan Pinilla.

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Esta invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella

En el proyecto participan investigadores de la Universidad de Granada y del laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia)

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información digital en colaboración con el laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic. Dicho dispositivo se encuentra entre los dispositivos de almacenamiento de información más avanzados fabricados hasta la fecha en todo el mundo. La invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella.

Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la UGR Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento denominada A-RAM (Advanced Random Access Memory), cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009. Ahora, gracias al laboratorio CEA-LETI, que cuenta con una de las tecnologías nanoelectrónicas más avanzadas a nivel mundial, han podido fabricar un dispositivo que corrobora experimentalmente todos y cada uno de los resultados avanzados anteriormente mediante estudios teóricos.

Los resultados de esta validación experimental se han publicado en la prestigiosa revista norteamericana IEEE Electron Device Letters y se han presentado en la Conferencia Internacional Silicon on Insulator Technology, celebrada recientemente en San Francisco, EEUU.

Actualmente, siguiendo la estela de los nuevos dispositivos incorporados por Intel en sus últimos microprocesadores (Ivy Bridge), los científicos de la UGR están estudiando otras alternativas tridimensionales de memorias basadas en la celda A2RAM, como son la FinFET-ARAM y la Trigate-ARAM y que ya han sido objeto de una patente en Francia y de una presentación en el International Memory Workshop celebrado en Mayo de 2012 en Milán (Italia).

Solucionar los problemas

Los investigadores de la UGR han demostrado que la celda de memoria A-RAM y su variante A2RAM son capaces de solucionar los problemas de miniaturización de la celda DRAM (que es el tipo de memoria que incorporan la mayoría de los dispositivos digitales: ordenadores, smartphones, tablets, etc.) y, además, proporcionan tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía, y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.

Como señala Francisco Gámiz, «desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)». Estas celdas de memoria están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.

Este concepto de DRAM ha permanecido inalterado durante todo este tiempo, y hoy día es posible encontrar celdas DRAM con dimensiones menores de 20nm (1 nanómetro equivale a una mil millonésima parte de un metro) y chips de memoria DRAM con varios gigabytes (un giga equivale a mil millones de unidades). Sin embargo, el escalado de esta celda, y por tanto la posibilidad de hacerla más pequeña, está llegando a su fin, debido a la cantidad mínima de carga eléctrica necesaria para poder distinguir con claridad entre los dos posibles estados de un bit (1 y 0), lo que limita el tamaño mínimo del condensador. «Si no podemos hacer más pequeño el condensador, la solución pasa por eliminarlo, surgiendo así las celdas de memoria 1T-DRAM, o memorias de un solo transistor, en las que la información se almacena en el propio transistor, que sirve a la vez para almacenar la información y para detectar el estado de la celda, es decir, acceder a la información».

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Esta invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella

En el proyecto participan investigadores de la Universidad de Granada y del laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia)

Científicos de la Universidad de Granada han diseñado un revolucionario dispositivo de almacenamiento de información digital en colaboración con el laboratorio CEA-LETI de Grenoble (Francia), uno de los agregados del Campus de Excelencia Internacional CEI BioTic. Dicho dispositivo se encuentra entre los dispositivos de almacenamiento de información más avanzados fabricados hasta la fecha en todo el mundo. La invención ha sido protegida por 10 patentes internacionales, incluyendo Japón, EEUU, Corea y la Unión Europea, y las principales industrias electrónicas, como Samsung y Hynix en Corea ó Micron en EEUU, ya han mostrado su interés por ella.

Los investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la UGR Noel Rodríguez y Francisco Gámiz han diseñado la celda de almacenamiento denominada A-RAM (Advanced Random Access Memory), cuyo modelo teórico ya crearon en el año 2009. Ahora, gracias al laboratorio CEA-LETI, que cuenta con una de las tecnologías nanoelectrónicas más avanzadas a nivel mundial, han podido fabricar un dispositivo que corrobora experimentalmente todos y cada uno de los resultados avanzados anteriormente mediante estudios teóricos.

Los resultados de esta validación experimental se han publicado en la prestigiosa revista norteamericana IEEE Electron Device Letters y se han presentado en la Conferencia Internacional Silicon on Insulator Technology, celebrada recientemente en San Francisco, EEUU.

Actualmente, siguiendo la estela de los nuevos dispositivos incorporados por Intel en sus últimos microprocesadores (Ivy Bridge), los científicos de la UGR están estudiando otras alternativas tridimensionales de memorias basadas en la celda A2RAM, como son la FinFET-ARAM y la Trigate-ARAM y que ya han sido objeto de una patente en Francia y de una presentación en el International Memory Workshop celebrado en Mayo de 2012 en Milán (Italia).

Solucionar los problemas

Los investigadores de la UGR han demostrado que la celda de memoria A-RAM y su variante A2RAM son capaces de solucionar los problemas de miniaturización de la celda DRAM (que es el tipo de memoria que incorporan la mayoría de los dispositivos digitales: ordenadores, smartphones, tablets, etc.) y, además, proporcionan tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía, y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.

Como señala Francisco Gámiz, «desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)». Estas celdas de memoria están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.

Este concepto de DRAM ha permanecido inalterado durante todo este tiempo, y hoy día es posible encontrar celdas DRAM con dimensiones menores de 20nm (1 nanómetro equivale a una mil millonésima parte de un metro) y chips de memoria DRAM con varios gigabytes (un giga equivale a mil millones de unidades). Sin embargo, el escalado de esta celda, y por tanto la posibilidad de hacerla más pequeña, está llegando a su fin, debido a la cantidad mínima de carga eléctrica necesaria para poder distinguir con claridad entre los dos posibles estados de un bit (1 y 0), lo que limita el tamaño mínimo del condensador. «Si no podemos hacer más pequeño el condensador, la solución pasa por eliminarlo, surgiendo así las celdas de memoria 1T-DRAM, o memorias de un solo transistor, en las que la información se almacena en el propio transistor, que sirve a la vez para almacenar la información y para detectar el estado de la celda, es decir, acceder a la información».

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El director general del Laboratorio Europeo de Física de Partículas (CERN), Rolf-Dieter Heuer, ofrecerá mañana jueves, 8 de noviembre, a las 19 horas en el Auditorio del Edificio Macroscopio del Parque de las Ciencias la conferencia «The Large Hadron Collider at CERN. Unveiling the Universe».

Esta actividad, en la que Heuer ofrecerá todos los detalles sobre los resultados que el Gran Colisionador de Hadrones obtuvo sobre el Bosón de Higos, está organizada por el Departamento de Física Teórica y del Cosmos de la Universidad de Granada, el Centro Andaluz de Física de Partículas Elementales (CAFPE) y el Parque de las Ciencias.
La entrada es libre hasta completar aforo, y el acto, en inglés, contará con traducción simultánea.

El profesor Dr. Rolf-Dieter Heuer es el Director General del CERN desde 2009. De nacionalidad alemana, el Prof. Heuer estudió Física en la Universidad de Stuttgart y obtuvo el doctorado en la Universidad de Heidelberg en 1977. Ostenta una cátedra en la Universidad de Hamburgo desde 1998. Entre otros puestos, ha sido portavoz del experimento OPAL del CERN, y director de investigación del laboratorio alemán DESY (Deutsches Elektronen-Synchrotron).

El CERN (Laboratorio Europeo para la Física de Partículas) es uno de los centros de investigación científica de mayor prestigio del mundo. Su objetivo es comprender de qué está hecho el Universo y cómo funciona, esto es, cuáles son las leyes fundamentales de la Naturaleza. Para ello, los físicos del CERN usan grandes aceleradores y complejos detectores de partículas. Actualmente, el CERN está realizando experimentos con la máquina más sofisticada que el hombre haya construido: el Large Hadron Collider (Gran Colisionador de Hadrones). Este acelerador de partículas permite explorar la estructura más íntima de la materia y reproducir las condiciones del Universo pocos instantes después del Big Bang. Este verano, el CERN anunció el descubrimiento en el Large Hadron Collider del bosón de Higgs, una partícula de gran importancia para los científicos y para nuestra propia existencia.

La conferencia del Prof. Heuer se enmarca dentro de una serie de actividades que el CERN realiza en Granada este otoño en colaboración con la Universidad de Granada, y que incluyen el curso «Introduction to Accelerator Physics», clausurado con esta conferencia, y la muestra «El instrumento científico más grande jamás construido: Una exposición del CERN», que acogerá la Facultad de Ciencias entre el 20 de noviembre y el 11 de diciembre.

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El director general del Laboratorio Europeo de Física de Partículas (CERN), Rolf-Dieter Heuer, ofrecerá mañana jueves, 8 de noviembre, a las 19 horas en el Auditorio del Edificio Macroscopio del Parque de las Ciencias la conferencia «The Large Hadron Collider at CERN. Unveiling the Universe».

Esta actividad, en la que Heuer ofrecerá todos los detalles sobre los resultados que el Gran Colisionador de Hadrones obtuvo sobre el Bosón de Higos, está organizada por el Departamento de Física Teórica y del Cosmos de la Universidad de Granada, el Centro Andaluz de Física de Partículas Elementales (CAFPE) y el Parque de las Ciencias.
La entrada es libre hasta completar aforo, y el acto, en inglés, contará con traducción simultánea.

El profesor Dr. Rolf-Dieter Heuer es el Director General del CERN desde 2009. De nacionalidad alemana, el Prof. Heuer estudió Física en la Universidad de Stuttgart y obtuvo el doctorado en la Universidad de Heidelberg en 1977. Ostenta una cátedra en la Universidad de Hamburgo desde 1998. Entre otros puestos, ha sido portavoz del experimento OPAL del CERN, y director de investigación del laboratorio alemán DESY (Deutsches Elektronen-Synchrotron).

El CERN (Laboratorio Europeo para la Física de Partículas) es uno de los centros de investigación científica de mayor prestigio del mundo. Su objetivo es comprender de qué está hecho el Universo y cómo funciona, esto es, cuáles son las leyes fundamentales de la Naturaleza. Para ello, los físicos del CERN usan grandes aceleradores y complejos detectores de partículas. Actualmente, el CERN está realizando experimentos con la máquina más sofisticada que el hombre haya construido: el Large Hadron Collider (Gran Colisionador de Hadrones). Este acelerador de partículas permite explorar la estructura más íntima de la materia y reproducir las condiciones del Universo pocos instantes después del Big Bang. Este verano, el CERN anunció el descubrimiento en el Large Hadron Collider del bosón de Higgs, una partícula de gran importancia para los científicos y para nuestra propia existencia.

La conferencia del Prof. Heuer se enmarca dentro de una serie de actividades que el CERN realiza en Granada este otoño en colaboración con la Universidad de Granada, y que incluyen el curso «Introduction to Accelerator Physics», clausurado con esta conferencia, y la muestra «El instrumento científico más grande jamás construido: Una exposición del CERN», que acogerá la Facultad de Ciencias entre el 20 de noviembre y el 11 de diciembre.

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