La participación de la Universidad de Granada en la línea piloto FAMES, cofinanciada por la Comisión Europea y el Gobierno de España a través de la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales, impulsa chips europeos con nuevas funcionalidades, mejores prestaciones y menor consumo energético
Más de veinte investigadores del Laboratorio Singular de Nanoelectrónica del CITIC-UGR trabajan en este proyecto
La Universidad de Granada, a través del Laboratorio Singular de Nanoelectrónica del Centro de Investigación en Tecnologías de la Información y de las Comunicaciones (CITIC-UGR), participa en la Pilot Line FAMES, una iniciativa europea de acceso abierto orientada a acelerar el desarrollo de chips semiconductores de muy bajo consumo y su transferencia a la industria en campos de alto impacto estratégico: salud, inteligencia artificial, automoción, defensa, sector aeroespacial, telecomunicaciones…
El papel de la UGR en esta infraestructura estratégica cuenta con el respaldo del Gobierno de España, a través de la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales del Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública, en el marco del impulso nacional a la microelectrónica y a la autonomía tecnológica europea.
La instalación principal de este proyecto se ha inaugurado a principios del presente año en Grenoble (Francia), con participación institucional europea y de los ocho países directamente implicados en la iniciativa.
Durante el acto de inauguración, el rector de la Universidad de Granada, Pedro Mercado, ha destacado que “la participación de la UGR en FAMES sitúa a nuestra institución en un eje estratégico para la innovación europea en semiconductores. Es una oportunidad para reforzar la investigación de frontera, formar talento altamente cualificado y acelerar la transferencia tecnológica hacia sectores clave.”
La UGR aporta materiales avanzados para incorporar “más funciones” en los chips
El equipo de investigadores de la Universidad de Granada trabaja en la cointegración de materiales avanzados compatibles con procesos de fabricación FD-SOI/FDSOI y con tecnologías CMOS convencionales que añaden nuevas funcionalidades a los circuitos electrónicos, abriendo la puerta a soluciones como sensores avanzados (bio, químicos, gases y fotónicos) de diagnóstico, monitorización y control; comunicaciones ópticas orientadas a interconexiones más rápidas y eficientes; computación neuromórfica para procesamiento eficiente inspirado en el cerebro, con potencial en aplicaciones de inteligencia artificial y en el Internet de las cosas (IoT); y computación cuántica, en líneas emergentes donde materiales y dispositivos son determinantes.
Estas capacidades responden a necesidades tecnológicas en sectores estratégicos como salud, automoción, telecomunicaciones y RF, Internet de las cosas, defensa y sector espacial. En todos ellos, Europa necesita mayor independencia con respecto a otros países como Estados Unidos, China y Corea del Sur.
Un proyecto estratégico con participación de la UGR y apoyo del Gobierno de España
FAMES forma parte del impulso europeo a infraestructuras compartidas para investigación y desarrollo en microelectrónica, con el objetivo de reducir el tiempo entre investigación e industrialización y facilitar el acceso a capacidades avanzadas de fabricación y validación. La apuesta busca reforzar la competitividad industrial y la autonomía tecnológica europeas en ámbitos clave para la economía y la seguridad.
En este contexto, el apoyo institucional del Gobierno de España, a través de la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales, impulsa la participación española en una infraestructura clave en el ecosistema europeo de semiconductores y facilita la conexión entre investigación avanzada y capacidades industriales.
En particular, FAMES se apoya en la plataforma FD-SOI/FDSOI, una solución de altas prestaciones y bajo consumo en la que Europa ha tenido un papel relevante en su desarrollo y ecosistema industrial.
Financiación y conexión con el ecosistema español de chips
La participación de la Universidad de Granada en FAMES cuenta con cofinanciación del 50% por parte de la Comisión Europea, a través de la Chips Joint Undertaking (Chips JU, Ley Europea del Chip, lanzada por la Unión Europea en 2023 tras los desabastecimientos de chips que sufrieron las empresas europeas por la crisis del COVID) y del 50% por parte del Gobierno de España, a través de la Secretaría de Estado de Telecomunicaciones e Infraestructuras Digitales del Ministerio para la Transformación Digital y de la Función Pública.
Dicha línea estratégica se refuerza en la UGR con la Cátedra +QCHIP del PERTE Chip, orientada a impulsar investigación, formación y transferencia en microelectrónica y tecnologías innovadoras. En la Cátedra participan empresas como Atis Soluciones, Libelium, Graphenea, InfinityRF, LASING y Gradiant.
Según el profesor Francisco Gámiz, investigador responsable en la UGR de la Pilot Line FAMES, “desde la Universidad aportamos un equipo de más de veinte investigadores y unas instalaciones propias de última generación para la investigación en semiconductores. Esto nos permite desarrollar y optimizar materiales avanzados e incorporarlos a procesos de fabricación FDSOI y CMOS. Así dotamos a los chips de nuevas funciones —desde sensores hasta nuevas aproximaciones de computación neuromórfica y cuántica— con impacto directo en sectores estratégicos”.
Imágenes:
1. La investigadora del CITIC-UGR Paula Martínez realiza un proceso de fabricación dentro del proyecto FAMES
2. Presentación de FAMES
Contacto:
Francisco Gámiz
Director CITIC-UGR
Correo electrónico: fgamiz@ugr.es
