Expertos andaluces coordinan un proyecto europeo para potenciar el uso de tecnología más eficiente del silicio
El catedrático del Departamento de Electrónica y Tecnología de los Computadores de la Universidad de Granada (UGR), Francisco Gámiz Pérez, coordina el proyecto Europeo \’Eurosoi+\’ orientado a facilitar el acceso de la tecnología de silicio sobre aislante (SOI) a los grupos de investigación, laboratorios y empresas electrónicas de toda Europa.
En una nota, Andalucía Innova explicó que este proyecto está impulsado por el VII Programa Marco de la Unión Europea e integra a los principales centros tecnológicos europeos punteros en electrónica y diseño de circuitos, como son los centros franceses CEA-LETI e IMEP-Minatec (situados en Grenoble), Centro de Investigación Avanzada en Microelectrónica (IMEC) de Bélgica, el irlandés Tyndall-National Institute de Cork, la Universidad Tecnológica de Chalmers de Suecia y la Universidad Católica de Lovaina (Bélgica).
\’Eurosoi+\’ pretende impulsar el uso de la tecnología \’SOI\’ (\’Silicon on Insulator\’) en el diseño y fabricación de circuitos electrónicos para cualquier aplicación electrónica. Esta medida se llevará a cabo mediante la oferta del uso y aprovechamiento de dicha tecnología aislante a unos precios asequibles para los grupos de investigación y laboratorios europeos.
Según explicó, la ventaja del silicio sobre aislante es que optimiza el funcionamiento del circuito permitiendo un mayor empaquetamiento, una mayor velocidad de funcionamiento y un menor consumo de energía.
«Todos los dispositivos que se fabrican actualmente e integran un circuito electrónico, pueden mejorar sus prestaciones realizando el mismo diseño en tecnología \’SOI\’: desde un reloj digital o una memoria de almacenamiento externo hasta un microprocesador», señaló Gámiz. Este hecho se debe a que la tecnología en silicio sobre aislante es muy similar a la que actualmente se utiliza con silicio convencional, pero la primera maximiza el funcionamiento de los circuitos electrónicos.
En un circuito integrado o \’chip\’, los dispositivos electrónicos se fabrican sobre una placa de silicio cristalino denominado sustrato. Así, explicó que como el sustrato es conductor, éste produce una conexión eléctrica parásita entre todos los dispositivos electrónicos que forman el circuito, degradando el funcionamiento del mismo.
Para eliminar esta conexión, la tecnología de silicio convencional emplea las llamadas técnicas de aislamiento dieléctrico que consumen una mayor área de circuito, aumentan la complejidad en el proceso de fabricación y limitan la velocidad de funcionamiento. El empleo de un sustrato aislante (base de la tecnología \’SOI\’) sobre una fina capa de silicio (en el que se siguen fabricando los dispositivos) elimina estas conexiones parásitas y mejora las prestaciones del circuito.
De forma estándar, las grandes empresas electrónicas trabajan con silicio convencional ya que hasta hace relativamente poco no se disponía de un proceso industrial fiable para la producción de obleas \’SOI\’ (el material de placas de silicio se fabrica en forma de obleas) a precios comparables con el silicio convencional. Por ello, actualmente no se oferta el diseño de dispositivos en esta tecnología con precios competitivos en el mercado.
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